简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDI8441
- 价格 起订量
- ￥ 11.29134 1+
- ￥ 10.65221 10+
- ￥ 10.04926 100+
- ￥ 9.48043 500+
- ￥ 8.94380 1000+
- 型号： FDI8441
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 82926
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.29134
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 质量：2.084g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：26A Ta 80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：75 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2011
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 元素配置：Single
- 功率耗散：300W
- 接通延迟时间：23 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.7m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：15000pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：280nC @ 10V
- 上升时间：24ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：17.9 ns
- 连续放电电流(ID)：26A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- RoHS状态：符合RoHS标准
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDI8441 ON Semiconductor
IPI100N04S4H2AKSA1 Infineon Technologies- IPI120N04S302AKSA1 Infineon Technologies
