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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMS8660AS
- 价格 起订量
- ￥ 8.12094 1+
- ￥ 7.66127 10+
- ￥ 7.22761 100+
- ￥ 6.81850 500+
- ￥ 6.43255 1000+
- 型号： FDMS8660AS
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
- 库存地点： 内地
- 库存： 160843
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.12094
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：68.1mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：28A Ta 49A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 104W Tc
- Turn Off Delay Time：42 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2009
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：2.1MOhm
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2.5W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.1m Ω @ 28A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5865pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：83nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：28A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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