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单MOSFET晶体管 / NTD4865N-35G
- 价格 起订量
- ￥ 1.37779 1+
- ￥ 1.29980 10+
- ￥ 1.22623 100+
- ￥ 1.15682 500+
- ￥ 1.09134 1000+
- 型号： NTD4865N-35G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 描述： MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 13002
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.37779
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Stub Leads, IPak
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8.5A Ta 44A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.27W Ta 33.3W Tc
- Turn Off Delay Time：17.4 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.92W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：10.9m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：827pF @ 12V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：10.8nC @ 4.5V
- 上升时间：19ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：19 ns
- 连续放电电流(ID)：44A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0109Ohm
- 漏源击穿电压：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：87A
- 雪崩能量等级（Eas）：50 mJ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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