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单MOSFET晶体管 / IRL610A
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： IRL610A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
- 库存地点： 内地
- 库存： 797
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 供应商器件包装：TO-220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.3A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Power Dissipation (Max)：33W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 已出版：1999
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：200V
- 额定电流：3.3A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：33W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5Ohm @ 1.65A, 5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：240pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9nC @ 5V
- 上升时间：9ns
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：6 ns
- 连续放电电流(ID)：3.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：200V
- 输入电容：240pF
- 漏源电阻：1.5Ohm
- 最大rds：1.5 Ω
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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