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单MOSFET晶体管 / IRFS4610PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRFS4610PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 897
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：73A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：190W Tc
- Turn Off Delay Time：53 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2006
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 电阻：14mOhm
- 电压 - 额定直流：100V
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：73A
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：190W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14m Ω @ 44A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3550pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：140nC @ 10V
- 上升时间：87ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：70 ns
- 连续放电电流(ID)：73A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：100V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：290A
- 双电源电压：100V
- 恢复时间：53 ns
- 栅源电压：4 V
- 高度：4.826mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：9.65mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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