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单MOSFET晶体管 / NIF9N05CLT3
- 价格 起订量
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- 型号： NIF9N05CLT3
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
- 库存地点： 内地
- 库存： 20569
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：OBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.6A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：3V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.69W Ta
- Turn Off Delay Time：1.54 μs
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2007
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：no
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 电压 - 额定直流：52V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：240
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：2.6A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 引脚数量：4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.69W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：125m Ω @ 2.6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：250pF @ 35V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：7nC @ 4.5V
- 上升时间：290ns
- Vgs（最大值）：±15V
- 下降时间（典型值）：290 ns
- 连续放电电流(ID)：2.6A
- 栅极至源极电压(Vgs)：15V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.125Ohm
- 漏源击穿电压：52V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：10A
- 雪崩能量等级（Eas）：110 mJ
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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