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单MOSFET晶体管 / NTB125N02RT4
- 价格 起订量
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- 型号： NTB125N02RT4
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： D2PAK
- 描述： MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 12888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 包装/外壳：D2PAK
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：27 ns
- 包装：Cut Tape (CT)
- 已出版：2006
- JESD-609代码：e0
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn80Pb20)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 电压 - 额定直流：24V
- 最大功率耗散：1.98W
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：235
- Reach合规守则：not_compliant
- 额定电流：125A
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2.72W
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：39ns
- 漏源电压 (Vdss)：24V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：21 ns
- 连续放电电流(ID)：120.5A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：95A
- 漏源击穿电压：24V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：250A
- 输入电容：3.44nF
- 雪崩能量等级（Eas）：120 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：3.7mOhm
- 最大rds：4.6 mΩ
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
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