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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDFS6N754
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- 型号： FDFS6N754
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET 30V 4A 56OHM NCH POWER TRENCH
- 库存地点： 内地
- 库存： 39113
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- 质量：230.4mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.6W Ta
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：8
- 终端：SMD/SMT
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：56mOhm
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 电压 - 额定直流：30V
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 额定电流：4A
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：2W
- 接通延迟时间：6 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：56m Ω @ 4A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：299pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：6nC @ 10V
- 上升时间：8ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：2 ns
- 连续放电电流(ID)：4A
- 阈值电压：1.7V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：4A
- 漏源击穿电压：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：20A
- 双电源电压：30V
- 场效应管特性：Schottky Diode (Isolated)
- 栅源电压：1.7 V
- 高度：1.5mm
- 长度：5mm
- 宽度：4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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