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单MOSFET晶体管 / FQPF13N50T
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: FQPF13N50T
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3 Full Pack
- 描述: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F
- 库存地点: 内地
- 库存: 504
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架:通孔
- 安装类型:通孔
- 包装/外壳:TO-220-3 Full Pack
- 引脚数:3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:12.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):56W Tc
- Turn Off Delay Time:100 ns
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:QFET®
- 已出版:2003
- 零件状态:Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流:500V
- 额定电流:12.5A
- 元素配置:Single
- 功率耗散:56W
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:430m Ω @ 6.25A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2300pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:60nC @ 10V
- 上升时间:140ns
- Vgs(最大值):±30V
- 下降时间(典型值):85 ns
- 连续放电电流(ID):12.5A
- 栅极至源极电压(Vgs):30V
- 漏源击穿电压:500V
- RoHS状态:符合RoHS标准
- 无铅:无铅
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