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单MOSFET晶体管 / HUF75333P3
- 价格 起订量
- ￥ 7.04795 1+
- ￥ 6.64901 10+
- ￥ 6.27265 100+
- ￥ 5.91760 500+
- ￥ 5.58264 1000+
- 型号： HUF75333P3
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 55V 60A TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 111246
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 7.04795
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：66A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：11 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：UltraFET™
- 已出版：2002
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：55V
- 额定电流：60A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：150W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：16mOhm @ 66A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1300pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：85nC @ 20V
- 上升时间：55ns
- 漏源电压 (Vdss)：55V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：25 ns
- 连续放电电流(ID)：66A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：55V
- 输入电容：1.3nF
- 漏源电阻：16mOhm
- 最大rds：16 mΩ
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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