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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDB86569-F085
- 价格 起订量
- ￥ 8.03160 1+
- ￥ 7.57698 10+
- ￥ 7.14810 100+
- ￥ 6.74349 500+
- ￥ 6.36178 1000+
- 型号： FDB86569-F085
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 27
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.03160
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：5 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 质量：1.31247g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：80A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：94W Tj
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- Reach合规守则：not_compliant
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5.6m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2520pF @ 30V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：52nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：80A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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