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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / SPD06N60C3ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 13.80103 1+
- ￥ 13.01984 10+
- ￥ 12.28286 100+
- ￥ 11.58761 500+
- ￥ 10.93170 1000+
- 型号： SPD06N60C3ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252
- 库存地点： 内地
- 库存： 1359
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.80103
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：PG-TO252-3-1
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：74W Tc
- Turn Off Delay Time：52 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2005
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：650V
- 额定电流：6.2A
- 功率耗散：74W
- 接通延迟时间：7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：750mOhm @ 3.9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 260μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：620pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：31nC @ 10V
- 上升时间：12ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：6.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：600V
- 输入电容：620pF
- 漏源电阻：680mOhm
- 最大rds：750 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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