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单MOSFET晶体管 / IPP45N06S4L08AKSA2
- 价格 起订量
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- 型号： IPP45N06S4L08AKSA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V 45A PG-TO220-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：14 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：45A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：71W Tc
- Turn Off Delay Time：45 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：8.2m Ω @ 45A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 35μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4780pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：64nC @ 10V
- 上升时间：2ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：8 ns
- 连续放电电流(ID)：45A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 最大双电源电压：60V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0079Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：180A
- 雪崩能量等级（Eas）：97 mJ
- 高度：15.65mm
- 长度：10mm
- 宽度：4.4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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