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单MOSFET晶体管 / BSP295L6327HTSA1
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- 型号： BSP295L6327HTSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-261-4, TO-261AA
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 26800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
- 引脚数：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.8A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.8W Ta
- Turn Off Delay Time：27 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：2002
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：4
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：哑光锡
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：40
- 引脚数量：4
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.8W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：5.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：300m Ω @ 1.8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 400μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：368pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：17nC @ 10V
- 上升时间：9.9ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：19 ns
- 连续放电电流(ID)：1.8A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.5Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：7.2A
- DS 击穿电压-最小值：60V
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
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