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单MOSFET晶体管 / SPU30P06P
- 价格 起订量
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- 型号： SPU30P06P
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 169
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- Turn Off Delay Time：30 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：2002
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：-60V
- Reach合规守则：unknown
- 额定电流：-30A
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 资历状况：不合格
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：125W
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：75m Ω @ 21.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.7mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1535pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：48nC @ 10V
- 上升时间：11ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：30A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.075Ohm
- 漏源击穿电压：-60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：120A
- 雪崩能量等级（Eas）：250 mJ
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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