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单MOSFET晶体管 / FDP13AN06A0
- 价格 起订量
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- 型号： FDP13AN06A0
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
- 库存地点： 内地
- 库存： 19783
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.38314
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-220-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.9A Ta 62A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：6V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：115W Tc
- Turn Off Delay Time：44 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2003
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：60V
- 额定电流：62A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：115W
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：13.5mOhm @ 62A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1350pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 上升时间：96ns
- 漏源电压 (Vdss)：60V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：26 ns
- 连续放电电流(ID)：62A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：60V
- 输入电容：1.35nF
- 漏源电阻：13.5mOhm
- 最大rds：13.5 mΩ
- 栅源电压：4 V
- 高度：9.65mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：Unknown
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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