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单MOSFET晶体管 / FDU6612A
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： FDU6612A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 描述： MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 54000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.5A Ta 30A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 36W Tc
- Turn Off Delay Time：24 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2004
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：30V
- 额定电流：30A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2.8W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：20m Ω @ 9.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：660pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.4nC @ 5V
- 上升时间：5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：4 ns
- 连续放电电流(ID)：9.5A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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