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单MOSFET晶体管 / FDS6609A
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： FDS6609A
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 3000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.3A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- 已出版：2007
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：-30V
- 额定电流：-6.3A
- 功率耗散：2.5W
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：32m Ω @ 7A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：930pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：29nC @ 10V
- 上升时间：11ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：6.3A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-30V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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