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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / NDS336P
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： NDS336P
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
- 库存地点： 内地
- 库存： 13500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.2A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：2.7V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：500mW Ta
- Turn Off Delay Time：33 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：1997
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电压 - 额定直流：-20V
- 额定电流：-1.2A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：500mW
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：200m Ω @ 1.3A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：360pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.5nC @ 4.5V
- 上升时间：29ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：29 ns
- 连续放电电流(ID)：1.2A
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-20V
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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