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单MOSFET晶体管 / IRF7420PBF
- 价格 起订量
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- 型号： IRF7420PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 描述： MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
- 库存地点： 内地
- 库存： 126
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- 引脚数：8
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：11.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta
- Turn Off Delay Time：291 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2004
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：14MOhm
- 电压 - 额定直流：-12V
- 额定电流：-11.5A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：2.5W
- 接通延迟时间：8.8 ns
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：14m Ω @ 11.5A, 4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3529pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：38nC @ 4.5V
- 上升时间：8.8ns
- 漏源电压 (Vdss)：12V
- Vgs（最大值）：±8V
- 下降时间（典型值）：225 ns
- 连续放电电流(ID)：-11.5A
- 阈值电压：-900mV
- 栅极至源极电压(Vgs)：8V
- 漏源击穿电压：-12V
- 双电源电压：-12V
- 栅源电压：-900 mV
- 高度：1.4986mm
- 长度：4.9784mm
- 宽度：3.9878mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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