简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / RFD8P05SM
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： RFD8P05SM
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA
- 库存地点： 内地
- 库存： 102
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：通孔
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Turn Off Delay Time：42 ns
- 包装：Tube
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：-50V
- 最大功率耗散：38W
- 额定电流：-8A
- 元素配置：Single
- 功率耗散：48W
- 场效应管类型：P-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：300m Ω @ 8A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80nC @ 20V
- 上升时间：30ns
- 漏源电压 (Vdss)：50V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：11A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：-50V
- 输入电容：350pF
- RoHS状态：Non-RoHS Compliant
- 无铅：含铅
相关产品
