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单MOSFET晶体管 / IPB100N06S2L05ATMA2
- 价格 起订量
- ￥ 15.51369 1+
- ￥ 14.63556 10+
- ￥ 13.80713 100+
- ￥ 13.02559 500+
- ￥ 12.28830 1000+
- 型号： IPB100N06S2L05ATMA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 15.51369
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：98 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2005
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：逻辑电平兼容
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：300W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.4m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5660pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：230nC @ 10V
- 上升时间：25ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：24 ns
- 连续放电电流(ID)：100A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：55V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0056Ohm
- 漏源击穿电压：55V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：400A
- 雪崩能量等级（Eas）：810 mJ
- 高度：4.57mm
- 长度：10.31mm
- 宽度：9.45mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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