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单MOSFET晶体管 / IPB120N06S402ATMA2
- 价格 起订量
- ￥ 25.33421 1+
- ￥ 23.90020 10+
- ￥ 22.54736 100+
- ￥ 21.27109 500+
- ￥ 20.06707 1000+
- 型号： IPB120N06S402ATMA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 25.33421
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 引脚数：3
- 质量：1.946308g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：188W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2009
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：188W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：25 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.8m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 140μA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：15750pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：195nC @ 10V
- 上升时间：5ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：120A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：60V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0024Ohm
- 漏源击穿电压：60V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：480A
- 雪崩能量等级（Eas）：560 mJ
- 宽度：9.25mm
- 长度：10mm
- 高度：4.4mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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