图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / AUIRFS6535
- 价格 起订量
- ¥ 18.01876 1+
- ¥ 16.99883 10+
- ¥ 16.03663 100+
- ¥ 15.12889 500+
- ¥ 14.27254 1000+
- 型号: AUIRFS6535
- 厂商: Infineon Technologies
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述: Trans MOSFET N-CH 300V 19A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Tube
- 库存地点: 内地
- 库存: 39
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 18.01876
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 触点镀层:Tin
- 底架:表面贴装
- 安装类型:表面贴装
- 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数:3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:19A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Number of Elements:1
- Power Dissipation (Max):210W Tc
- Turn Off Delay Time:22 ns
- 操作温度:-55°C~175°C TJ
- 包装:Tube
- 系列:HEXFET®
- 已出版:2015
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 配置:Single
- 功率耗散:210W
- 接通延迟时间:15 ns
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:185m Ω @ 11A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2340pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:57nC @ 10V
- 上升时间:16ns
- Vgs(最大值):±20V
- 下降时间(典型值):10 ns
- 连续放电电流(ID):19A
- 栅极至源极电压(Vgs):20V
- 漏源击穿电压:300V
- 辐射硬化:无
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
- 无铅:无铅
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