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单MOSFET晶体管 / AUIRFS6535

  • 价格 起订量
  • ¥ 18.01876 1+
  • ¥ 16.99883 10+
  • ¥ 16.03663 100+
  • ¥ 15.12889 500+
  • ¥ 14.27254 1000+
  • 型号: AUIRFS6535
  • 厂商: Infineon Technologies
  • 类别: 单MOSFET晶体管
  • 封装: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 描述: Trans MOSFET N-CH 300V 19A 3-Pin(2 Tab) D2PAK Tube
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 39
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 18.01876

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:16 Weeks
  • 触点镀层:Tin
  • 底架:表面贴装
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 引脚数:3
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:19A Tc
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
  • Number of Elements:1
  • Power Dissipation (Max):210W Tc
  • Turn Off Delay Time:22 ns
  • 操作温度:-55°C~175°C TJ
  • 包装:Tube
  • 系列:HEXFET®
  • 已出版:2015
  • 零件状态:活跃
  • 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
  • ECCN 代码:EAR99
  • 配置:Single
  • 功率耗散:210W
  • 接通延迟时间:15 ns
  • 场效应管类型:N-Channel
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:185m Ω @ 11A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 150μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:2340pF @ 25V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:57nC @ 10V
  • 上升时间:16ns
  • Vgs(最大值):±20V
  • 下降时间(典型值):10 ns
  • 连续放电电流(ID):19A
  • 栅极至源极电压(Vgs):20V
  • 漏源击穿电压:300V
  • 辐射硬化:
  • RoHS状态:ROHS3 Compliant
  • 无铅:无铅

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