简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCH125N60E
- 价格 起订量
- ￥ 25.83234 1+
- ￥ 24.37013 10+
- ￥ 22.99069 100+
- ￥ 21.68933 500+
- ￥ 20.46163 1000+
- 型号： FCH125N60E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCH125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew
- 库存地点： 内地
- 库存： 38658
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 25.83234
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 引脚数：3
- 质量：6.39g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：278W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SuperFET® II
- 已出版：2014
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：TIN
- HTS代码：8541.29.00.95
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：125m Ω @ 14.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2990pF @ 380V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：95nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：29A
- 阈值电压：3.5V
- 达到SVHC：无SVHC
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FCH125N60E ON Semiconductor
STW34NM60N STMicroelectronics
IPW60R125P6XKSA1 Infineon Technologies- STW35N60DM2 STMicroelectronics
- STW43N60DM2 STMicroelectronics
