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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDBL0260N100
- 价格 起订量
- ￥ 51.27285 1+
- ￥ 48.37061 10+
- ￥ 45.63265 100+
- ￥ 43.04967 500+
- ￥ 40.61290 1000+
- 型号： FDBL0260N100
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerSFN
- 描述： MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 56800
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 51.27285
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerSFN
- 引脚数：8
- 质量：850.0521mg
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：3.5W Ta 250W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 元素配置：Single
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.6m Ω @ 80A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9265pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：116nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：200A
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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