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单MOSFET晶体管 / IRFSL4127PBF
- 价格 起订量
- ￥ 46.80964 1+
- ￥ 44.16004 10+
- ￥ 41.66041 100+
- ￥ 39.30228 500+
- ￥ 37.07762 1000+
- 型号： IRFSL4127PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 描述： MOSFET,200V,76A,23.2 MOHM,100 NC QG,TO-262
- 库存地点： 内地
- 库存： 1000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 46.80964
付款方式
支付宝
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：72A Tc
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：375W Tc
- Turn Off Delay Time：56 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2008
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：22MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：375W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：22m Ω @ 44A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5380pF @ 50V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：150nC @ 10V
- 上升时间：18ns
- 下降时间（典型值）：22 ns
- 连续放电电流(ID)：72A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：200V
- 雪崩能量等级（Eas）：250 mJ
- 高度：9.652mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：4.826mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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