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单MOSFET晶体管 / AUIRFSL8409
- 价格 起订量
- ￥ 40.27400 1+
- ￥ 37.99434 10+
- ￥ 35.84371 100+
- ￥ 33.81482 500+
- ￥ 31.90078 1000+
- 型号： AUIRFSL8409
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-262-3 Short Leads, I2Pak
- 描述： MOSFET N-CH 40V 195A TO-262
- 库存地点： 内地
- 库存： 25
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 40.27400
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：Surface Mount, Through Hole
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-262-3 Short Leads, I2Pak
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-262
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：195A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：375W Tc
- Turn Off Delay Time：160 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 接通延迟时间：32 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.2mOhm @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：14240pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：450nC @ 10V
- 上升时间：105ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：100 ns
- 连续放电电流(ID)：195A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 输入电容：14.24nF
- 漏源电阻：1.2mOhm
- 最大rds：1.2 mΩ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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