简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / AUIRFS8407
- 价格 起订量
- ￥ 27.24637 1+
- ￥ 25.70412 10+
- ￥ 24.24917 100+
- ￥ 22.87658 500+
- ￥ 21.58168 1000+
- 型号： AUIRFS8407
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： INFINEON AUIRFS8407 MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 3 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 100000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 27.24637
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：195A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Power Dissipation (Max)：230W Tc
- Turn Off Delay Time：78 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 基本部件号：IRFS8407
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 功率耗散：230W
- 接通延迟时间：19 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.8m Ω @ 100A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：7330pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：225nC @ 10V
- 上升时间：70ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：53 ns
- 连续放电电流(ID)：195A
- 阈值电压：3V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 栅源电压：3 V
- 高度：4.83mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：9.65mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
AUIRFS8407 Infineon Technologies- IRFS7434PBF Infineon Technologies
- IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies
- IRFS7437PBF Infineon Technologies
