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单MOSFET晶体管 / STB5NK50ZT4
- 价格 起订量
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- 型号： STB5NK50ZT4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4Amp
- 库存地点： 内地
- 库存： 12888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：D2PAK
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：4.4A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：70W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：SuperMESH™
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 电压 - 额定直流：500V
- 额定电流：4.4A
- 基本部件号：STB5N
- 元素配置：Single
- 功率耗散：70W
- 接通延迟时间：15 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5Ohm @ 2.2A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：535pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：28nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- 漏源电压 (Vdss)：500V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：15 ns
- 连续放电电流(ID)：4.4A
- 阈值电压：3.75V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：500V
- 输入电容：535pF
- 漏源电阻：1.5Ohm
- 最大rds：1.5 Ω
- 高度：4.6mm
- 长度：10.75mm
- 宽度：10.4mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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