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单MOSFET晶体管 / STH245N75F3-6
- 价格 起订量
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- 型号： STH245N75F3-6
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 描述： MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：300W Tc
- Turn Off Delay Time：100 ns
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：180A Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Cut Tape (CT)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- ECCN 代码：EAR99
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STH245
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：25 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3m Ω @ 90A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：6800pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：87nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：75V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：180A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.003Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：720A
- DS 击穿电压-最小值：75V
- 高度：4.6mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：8.9mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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