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单MOSFET晶体管 / STL110NS3LLH7
- 价格 起订量
- ￥ 3.54320 1+
- ￥ 3.34264 10+
- ￥ 3.15343 100+
- ￥ 2.97494 500+
- ￥ 2.80654 1000+
- 型号： STL110NS3LLH7
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerVDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
- 库存地点： 内地
- 库存： 100
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.54320
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：8-PowerVDFN
- 安装类型：表面贴装
- 底架：表面贴装
- 触点镀层：Tin
- 引脚数：8
- 晶体管元件材料：SILICON
- Power Dissipation (Max)：4W Ta 75W Tc
- Turn Off Delay Time：31.8 ns
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：120A Tc
- 系列：STripFET™ H7
- 包装：Cut Tape (CT)
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：FLAT
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 基本部件号：STL110
- JESD-30代码：R-PDSO-F5
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：26.4 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.4m Ω @ 14A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2110pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：13.7nC @ 4.5V
- 上升时间：10.4ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：12.5 ns
- 连续放电电流(ID)：120A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.005Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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