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单MOSFET晶体管 / IPD60R1K5CEATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 5.20334 1+
- ￥ 4.90881 10+
- ￥ 4.63095 100+
- ￥ 4.36882 500+
- ￥ 4.12153 1000+
- 型号： IPD60R1K5CEATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2
- 库存地点： 内地
- 库存： 46
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.20334
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 质量：3.949996g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.1A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：28W Tc
- Turn Off Delay Time：40 ns
- 操作温度：-40°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™ CE
- 已出版：2015
- 无铅代码：yes
- 零件状态：Discontinued
- 湿度敏感性等级(MSL)：3 (168 Hours)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 终端形式：鸥翼
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5 Ω @ 1.1A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：200pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.4nC @ 10V
- 上升时间：7ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：20 ns
- 连续放电电流(ID)：3.1A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：5A
- 漏源击穿电压：600V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：8A
- 雪崩能量等级（Eas）：26 mJ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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