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单MOSFET晶体管 / IPD90N06S4L05ATMA2
- 价格 起订量
- ￥ 9.32885 1+
- ￥ 8.80080 10+
- ￥ 8.30264 100+
- ￥ 7.83268 500+
- ￥ 7.38932 1000+
- 型号： IPD90N06S4L05ATMA2
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 88888
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 9.32885
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 引脚数：3
- 质量：3.949996g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：107W Tc
- Turn Off Delay Time：80 ns
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：90A Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
- 已出版：2009
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.6m Ω @ 90A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 60μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8180pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：110nC @ 10V
- 上升时间：4ns
- Vgs（最大值）：±16V
- 下降时间（典型值）：13 ns
- 连续放电电流(ID)：90A
- 栅极至源极电压(Vgs)：16V
- 最大双电源电压：60V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0046Ohm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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