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单MOSFET晶体管 / AUIRF1010Z
- 价格 起订量
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- ￥ 5.88438 100+
- ￥ 5.55131 500+
- ￥ 5.23708 1000+
- 型号： AUIRF1010Z
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： INFINEON AUIRF1010Z MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 18500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.61169
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：75A Tc
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：140W Tc
- Turn Off Delay Time：36 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2010
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：30
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：140W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：18 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：7.5m Ω @ 75A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2840pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：95nC @ 10V
- 上升时间：150ns
- 下降时间（典型值）：92 ns
- 连续放电电流(ID)：94A
- 阈值电压：2V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：75A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0075Ohm
- 漏源击穿电压：55V
- 高度：16.51mm
- 长度：10.668mm
- 宽度：4.826mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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