简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FCP380N60E
- 价格 起订量
- ￥ 21.78772 1+
- ￥ 20.55445 10+
- ￥ 19.39099 100+
- ￥ 18.29339 500+
- ￥ 17.25792 1000+
- 型号： FCP380N60E
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP380N60E Power MOSFET, N Channel, 10.2 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 2.5 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 110
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.78772
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 引脚数：3
- 质量：1.8g
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：10.2A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：106W Tc
- Turn Off Delay Time：64 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SuperFET® II
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 元素配置：Single
- 功率耗散：106W
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：380m Ω @ 5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1770pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：45nC @ 10V
- 上升时间：9ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：10.2A
- 阈值电压：2.5V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：600V
- 高度：9.4mm
- 长度：10.67mm
- 宽度：4.83mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FCP380N60E ON Semiconductor
STP14NM50N STMicroelectronics- FCP11N60N ON Semiconductor
- STP13NM60N STMicroelectronics
- STP18NM60N STMicroelectronics
