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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMC8588DC
- 价格 起订量
- ￥ 18.21352 1+
- ￥ 17.18256 10+
- ￥ 16.20997 100+
- ￥ 15.29242 500+
- ￥ 14.42681 1000+
- 型号： FDMC8588DC
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC8588DC MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 0.0036 ohm, 10 V, 1.2 V
- 库存地点： 内地
- 库存： 48
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 18.21352
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 底架：表面贴装
- 引脚数：8
- 质量：32.13mg
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：25 ns
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 最大功率耗散：3W
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：41W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 晶体管应用：SWITCHING
- 上升时间：3ns
- 漏源电压 (Vdss)：25V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 下降时间（典型值）：2 ns
- 连续放电电流(ID)：40A
- 阈值电压：1.2V
- JEDEC-95代码：MO-240BA
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：17A
- 漏源击穿电压：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：60A
- 输入电容：1.695nF
- 雪崩能量等级（Eas）：29 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 漏源电阻：5.7mOhm
- 最大rds：5 mΩ
- 栅源电压：1.2 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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