简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / MCH6437-TL-W
- 价格 起订量
- ￥ 1.56779 1+
- ￥ 1.47905 10+
- ￥ 1.39533 100+
- ￥ 1.31635 500+
- ￥ 1.24184 1000+
- 型号： MCH6437-TL-W
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 6-SMD, Flat Leads
- 描述： MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6
- 库存地点： 内地
- 库存： 90000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 1.56779
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：6 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：6-SMD, Flat Leads
- 引脚数：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：1.5W Ta
- Turn Off Delay Time：72 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.3V @ 1mA
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 已出版：2012
- JESD-609代码：e6
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：6
- 端子表面处理：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- 附加功能：防静电
- 端子位置：DUAL
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 接通延迟时间：9.7 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：24m Ω @ 4A, 4.5V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：660pF @ 10V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：8.4nC @ 4.5V
- 上升时间：53ns
- 漏源电压 (Vdss)：20V
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：65 ns
- 连续放电电流(ID)：7A
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：7A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.024Ohm
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：28A
- DS 击穿电压-最小值：20V
- 达到SVHC：not_compliant
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
MCH6437-TL-W ON Semiconductor
NTHS5404T1G ON Semiconductor- MCH6421-TL-W ON Semiconductor
- MCH6448-TL-W ON Semiconductor
