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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDMC8588
- 价格 起订量
- ￥ 3.07100 1+
- ￥ 2.89717 10+
- ￥ 2.73318 100+
- ￥ 2.57847 500+
- ￥ 2.43252 1000+
- 型号： FDMC8588
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： MOSFET Thin gate 25/12V NCh PowerTrench MOSFET
- 库存地点： 内地
- 库存： 30083
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.07100
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：10 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 引脚数：8
- 质量：32.13mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：16.5A Ta 40A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.4W Ta 26W Tc
- Turn Off Delay Time：25 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.8V @ 250μA
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：DUAL
- JESD-30代码：R-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：8 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：5m Ω @ 17A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1228pF @ 13V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：12nC @ 4.5V
- 上升时间：3ns
- Vgs（最大值）：±12V
- 下降时间（典型值）：2 ns
- 连续放电电流(ID)：17A
- JEDEC-95代码：MO-240BA
- 栅极至源极电压(Vgs)：12V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：16.5A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.005Ohm
- 漏源击穿电压：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：60A
- 雪崩能量等级（Eas）：29 mJ
- 高度：1mm
- 长度：3.4mm
- 宽度：3.4mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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