简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / RCX080N25
- 价格 起订量
- ￥ 11.99715 1+
- ￥ 11.31807 10+
- ￥ 10.67743 100+
- ￥ 10.07304 500+
- ￥ 9.50287 1000+
- 型号： RCX080N25
- 厂商： ROHM Semiconductor
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N-CH 250V 8A TO220
- 库存地点： 内地
- 库存： 79999
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 11.99715
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：16 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.23W Ta 35W Tc
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- 操作温度：150°C TJ
- 包装：Bulk
- 已出版：2013
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 端子位置：SINGLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：22 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：600m Ω @ 4A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：840pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：15nC @ 10V
- 上升时间：28ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：14 ns
- 连续放电电流(ID)：8A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：8A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.6Ohm
- 漏源击穿电压：250V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：32A
- 雪崩能量等级（Eas）：4.66 mJ
- 达到SVHC：not_compliant
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
RCX080N25 ROHM Semiconductor
FQPF9N25C ON Semiconductor
FQPF9N25CYDTU ON Semiconductor- FQPF9N25CT ON Semiconductor
