图片经供参考,以实物为准

单MOSFET晶体管 / STP12N60M2
- 价格 起订量
- ¥ 15.61138 1+
- ¥ 14.72772 10+
- ¥ 13.89407 100+
- ¥ 13.10762 500+
- ¥ 12.36568 1000+
- 型号: STP12N60M2
- 厂商: TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别: 单MOSFET晶体管
- 封装: TO-220-3
- 描述: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB
- 库存地点: 内地
- 库存: 1135
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 15.61138
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间:16 Weeks
- 生命周期状态:ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
- 包装/外壳:TO-220-3
- 安装类型:通孔
- 底架:通孔
- Power Dissipation (Max):85W Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:9A Tc
- 系列:MDmesh™ M2
- 包装:Tube
- 操作温度:-55°C~150°C TJ
- 零件状态:活跃
- 湿度敏感性等级(MSL):1 (Unlimited)
- ECCN 代码:EAR99
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- 时间@峰值回流温度-最大值(s):未说明
- 基本部件号:STP12
- 场效应管类型:N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ω @ 4.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:538pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:16nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss):600V
- Vgs(最大值):±25V
- 连续放电电流(ID):9A
- RoHS状态:ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
STP12N60M2 STMicroelectronics
IPA60R450E6XKSA1 Infineon Technologies
STF13N60M2 STMicroelectronics
STF12N60M2 STMicroelectronics
STP13N60M2 STMicroelectronics

