简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STB12NM50T4
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： STB12NM50T4
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 20193
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 触点镀层：Tin
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：12A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：160W Tc
- 操作温度：-65°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：MDmesh™
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：350mOhm
- 附加功能：雪崩 额定
- 电压 - 额定直流：550V
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：245
- 额定电流：12A
- 基本部件号：STB12N
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：160W
- 接通延迟时间：20 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：350m Ω @ 6A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 50μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1000pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：39nC @ 10V
- 上升时间：10ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 连续放电电流(ID)：12A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：500V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：48A
- 雪崩能量等级（Eas）：400 mJ
- 栅源电压：4 V
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
相关产品
