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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / STW21N90K5
- 价格 起订量
- ￥ 49.62449 1+
- ￥ 46.81556 10+
- ￥ 44.16562 100+
- ￥ 41.66568 500+
- ￥ 39.30724 1000+
- 型号： STW21N90K5
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 6000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 49.62449
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：17 Weeks
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 100μA
- Turn Off Delay Time：52 ns
- Power Dissipation (Max)：250W Tc
- Number of Elements：1
- 系列：SuperMESH5™
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- JESD-609代码：e3
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：299MOhm
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 基本部件号：STW21N
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：250W
- 接通延迟时间：17 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：299m Ω @ 9A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1645pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：43nC @ 10V
- 上升时间：27ns
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：40 ns
- 连续放电电流(ID)：18.5A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 漏源击穿电压：900V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：68A
- 最大结点温度（Tj）：150°C
- 高度：24.45mm
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 辐射硬化：无
- 无铅：无铅
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