简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / FDPF18N20FT-G
- 价格 起订量
- ￥ 8.23180 1+
- ￥ 7.76585 10+
- ￥ 7.32627 100+
- ￥ 6.91158 500+
- ￥ 6.52036 1000+
- 型号： FDPF18N20FT-G
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述： MOSFET N CH 200V 18A TO220F
- 库存地点： 内地
- 库存： 15000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 8.23180
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- 工厂交货时间：4 Weeks
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 引脚数：3
- 质量：2.27g
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Turn Off Delay Time：50 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：UniFET™
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：16 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：140m Ω @ 9A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1180pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：26nC @ 10V
- 上升时间：50ns
- 漏源电压 (Vdss)：200V
- Vgs（最大值）：±30V
- 下降时间（典型值）：40 ns
- 连续放电电流(ID)：18A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：72A
- DS 击穿电压-最小值：200V
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
FDPF18N20FT-G ON Semiconductor- FQPF19N20C ON Semiconductor
- FQPF16N25C ON Semiconductor
STF20NF20 STMicroelectronics- FQPF18N20V2 ON Semiconductor
