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单MOSFET晶体管 / IPD031N03LGBTMA1
- 价格 起订量
- ￥ 3.93984 1+
- ￥ 3.71683 10+
- ￥ 3.50644 100+
- ￥ 3.30797 500+
- ￥ 3.12072 1000+
- 型号： IPD031N03LGBTMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 3.93984
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商器件包装：PG-TO252-3
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：90A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：94W Tc
- Turn Off Delay Time：34 ns
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：OptiMOS™
- 已出版：2011
- 零件状态：不用于新设计
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 最高工作温度：175°C
- 最小工作温度：-55°C
- 功率耗散：94W
- 接通延迟时间：9 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.1mOhm @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5300pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：51nC @ 10V
- 上升时间：6ns
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：5 ns
- 连续放电电流(ID)：90A
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：30V
- 输入电容：5.3nF
- 漏源电阻：3.1mOhm
- 最大rds：3.1 mΩ
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
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