简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / IPD80R4K5P7ATMA1
- 价格 起订量
- ￥ 6.40293 1+
- ￥ 6.04050 10+
- ￥ 5.69859 100+
- ￥ 5.37603 500+
- ￥ 5.07172 1000+
- 型号： IPD80R4K5P7ATMA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 描述： MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK
- 库存地点： 内地
- 库存： 2500
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 6.40293
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：18 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：13W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：CoolMOS™
- 已出版：2013
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)：未说明
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：4.5 Ω @ 400mA, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 200μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：80pF @ 500V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：4nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：800V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：1.5A
- JEDEC-95代码：TO-252AA
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：2.6A
- DS 击穿电压-最小值：800V
- 雪崩能量等级（Eas）：1 mJ
- 场效应管特性：超级交界处
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
相关产品
采购询价
热销型号TOP榜
可替换产品
IPD80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies
IPD80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies- IPD80R2K8CEATMA1 Infineon Technologies
