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单MOSFET晶体管 / IRFH5104TR2PBF
- 价格 起订量
- ￥ 21.72638 1+
- ￥ 20.49659 10+
- ￥ 19.33640 100+
- ￥ 18.24189 500+
- ￥ 17.20933 1000+
- 型号： IRFH5104TR2PBF
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-VQFN Exposed Pad
- 描述： MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 35048
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 21.72638
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-VQFN Exposed Pad
- 引脚数：8
- 供应商器件包装：PQFN (5x6)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：24A Ta 100A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：3.6W Ta 114W Tc
- Turn Off Delay Time：20 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：HEXFET®
- 已出版：2011
- 零件状态：Obsolete
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 电阻：3.5MOhm
- 最高工作温度：150°C
- 最小工作温度：-55°C
- 功率耗散：114W
- 接通延迟时间：9.5 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：3.5mOhm @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：3120pF @ 25V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80nC @ 10V
- 上升时间：15ns
- 漏源电压 (Vdss)：40V
- Vgs（最大值）：±20V
- 下降时间（典型值）：10 ns
- 连续放电电流(ID)：24A
- 阈值电压：4V
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 漏源击穿电压：40V
- 输入电容：3.12nF
- 恢复时间：47 ns
- 漏源电阻：3.5mOhm
- 最大rds：3.5 mΩ
- 栅源电压：4 V
- 高度：900μm
- 长度：6mm
- 宽度：5mm
- 达到SVHC：无SVHC
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：符合RoHS标准
- 无铅：无铅
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