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单MOSFET晶体管 / STB18N60M2
- 价格 起订量
- ￥ 17.58814 1+
- ￥ 16.59259 10+
- ￥ 15.65338 100+
- ￥ 14.76734 500+
- ￥ 13.93146 1000+
- 型号： STB18N60M2
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 描述： MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
- 库存地点： 内地
- 库存： 750
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 17.58814
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：26 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 引脚数：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：47 ns
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：MDmesh™ II Plus
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：2
- ECCN 代码：EAR99
- 电阻：280mOhm
- 终端形式：鸥翼
- 基本部件号：STB18N
- JESD-30代码：R-PSSO-G2
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：110W
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：12 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：280m Ω @ 6.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：791pF @ 100V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：21.5nC @ 10V
- 上升时间：9ns
- 漏源电压 (Vdss)：600V
- Vgs（最大值）：±25V
- 下降时间（典型值）：10.6 ns
- 连续放电电流(ID)：13A
- 栅极至源极电压(Vgs)：25V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：52A
- DS 击穿电压-最小值：600V
- 高度：4.6mm
- 长度：10.4mm
- 宽度：9.35mm
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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