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单MOSFET晶体管 / BUZ30AHXKSA1
- 价格 起订量
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- 型号： BUZ30AHXKSA1
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-220-3
- 描述： Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
- 库存地点： 内地
- 库存： 480
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 触点镀层：Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：21A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：125W Tc
- 操作温度：-55°C~150°C TJ
- 包装：Tube
- 系列：SIPMOS®
- 已出版：2005
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：最后一次购买
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：3
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：雪崩 额定
- 端子位置：SINGLE
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 配置：SINGLE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：125W
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：130m Ω @ 13.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 无卤素：无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：1900pF @ 25V
- 上升时间：70ns
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：21A
- JEDEC-95代码：TO-220AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：20V
- 最大双电源电压：200V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：84A
- 雪崩能量等级（Eas）：450 mJ
- 辐射硬化：无
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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