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单MOSFET晶体管 / FDMC8010ET30
- 价格 起订量
- ￥ 13.18346 1+
- ￥ 12.43723 10+
- ￥ 11.73323 100+
- ￥ 11.06909 500+
- ￥ 10.44254 1000+
- 型号： FDMC8010ET30
- 厂商： onsemi(安森美)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： 8-PowerWDFN
- 描述： MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
- 库存地点： 内地
- 库存： 20000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 13.18346
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- 工厂交货时间：12 Weeks
- 底架：表面贴装
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerWDFN
- 引脚数：8
- 质量：152.7mg
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：30A Ta 174A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.8W Ta 65W Tc
- 操作温度：-55°C~175°C TJ
- 包装：Tape & Reel (TR)
- 系列：PowerTrench®
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：yes
- 零件状态：活跃
- 湿度敏感性等级(MSL)：1 (Unlimited)
- 终止次数：5
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin (Sn)
- 附加功能：超低电阻
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- Reach合规守则：not_compliant
- JESD-30代码：S-PDSO-N5
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.3m Ω @ 30A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：5860pF @ 15V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：94nC @ 10V
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- Vgs（最大值）：±20V
- 连续放电电流(ID)：174A
- JEDEC-95代码：MO-240BA
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：30A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.0013Ohm
- DS 击穿电压-最小值：30V
- 雪崩能量等级（Eas）：153 mJ
- 反馈上限-最大值 (Crss)：250 pF
- 关断时间-最大值（toff)：75ns
- 接通时间-最大值(ton)：42ns
- RoHS状态：ROHS3 Compliant
- 无铅：无铅
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